【摘 要】
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基于砷化镓高性能共振隧道二极管(RTD)结构采用分子束外延技术生长。其结构与普通的RTD不同,这种RTD在砷化铝势垒顶层交界处增加了一层Al0.24Ga0.76As主势垒层。在室温下,这
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基于砷化镓高性能共振隧道二极管(RTD)结构采用分子束外延技术生长。其结构与普通的RTD不同,这种RTD在砷化铝势垒顶层交界处增加了一层Al0.24Ga0.76As主势垒层。在室温下,这种RTD偏压下峰—谷电流比(PVCR)达到4.68,其最高峰值电流密度为12.4kA/cm2。
The GaAs based high performance resonant tunneling diode (RTD) structure is grown by molecular beam epitaxy. Its structure is different from ordinary RTD. This RTD adds a layer of Al0.24Ga0.76As main barrier at the junction of the arsenic aluminum barrier top. At room temperature, this RTD bias peak-to-valley current ratio (PVCR) reached 4.68, the highest peak current density of 12.4kA / cm2.
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