【摘 要】
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利用原位粉末套管法制备出SiC微粉掺杂的MgB2-x(SiC)x/2/Fe(x=0.00、0.05、0.10、0.20)超导线材.在750℃,流通高纯氩气的条件下热处理1h后,大部分SiC没有参与取代B位的反应.
【机 构】
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同济大学,西北有色金属研究院,同济大学,中国科学技术大学,中国科学技术大学
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利用原位粉末套管法制备出SiC微粉掺杂的MgB2-x(SiC)x/2/Fe(x=0.00、0.05、0.10、0.20)超导线材.在750℃,流通高纯氩气的条件下热处理1h后,大部分SiC没有参与取代B位的反应.随着x的增大,线材中非超导相SiC和Mg的含量增加,MgB2的平均晶粒尺寸变小,从而使可作为磁通钉扎中心的晶界的面积相应增加.在外加磁场中,MgB2超导线材的临界电流密度(Jc)随x增大逐步升高,至x=0.10时Jc性能最好,其在6K,5T时的Jc达到了8480A/cm2,比未掺杂线材的Jc高出约
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