【摘 要】
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硅半导体平面器件的制作,随着完美晶体的应用,克服了原生缺陷,但由于在晶片加工过程中(如切、磨、抛),硅片表面的机械损伤、杂质沾污等造成在器件加工的高温处理过程中所引
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硅半导体平面器件的制作,随着完美晶体的应用,克服了原生缺陷,但由于在晶片加工过程中(如切、磨、抛),硅片表面的机械损伤、杂质沾污等造成在器件加工的高温处理过程中所引起的二次缺陷就明显地突出了出来。二次缺陷种类很多,但概括起来有四种,即二次位错、热氧化堆垛层错(杆状层错),微缺陷和雾状点缺陷。
The production of silicon semiconductor flat devices overcomes the native defects with the application of perfect crystal. However, due to the mechanical damage on the surface of the silicon wafer, contamination of the silicon surface during the processing of the wafer (such as cutting, grinding and polishing) The secondary defects caused by the high-temperature process are clearly highlighted. There are many secondary defects, but in summary, there are four kinds of secondary defects, thermal oxidation stacking fault (rod fault), micro-defects and haze defects.
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