基于55 nm工艺大容量EFUSE烧写特性研究

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传统EFUSE烧写主要通过电压与时间的组合来实现。但是由于大容量的EFUSE本身内部的寄生电阻造成EFUSE的各个单元的应加条件不同,导致烧写结果不同。而采用传统电压方式烧写EFUSE可能出现瞬间大电流,导致EFUSE热效应爆炸或熔断。在这种效应下EFUSE炸出的东西会污染周边电路导致短路失效。或者EFUSE熔化扭曲消耗的能量,导致EFUSE没有烧断。当EFUSE在高温烘烤时熔断部分可能再次连接导致EFUSE数据失效。即使烧断也有部分EFUSE单元熔后电阻偏小,影响长期使用的可靠性。采用电流模式的EFUS
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