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随着动态随机存取存储器（内存）线宽的缩小，需要半球状多晶硅等新技术来增大电容。当前对选择性半球状多晶硅论述较多，非选择性半球状多晶硅则较少提到。文中讲述的是炉管非选择性半球状多晶硅在0．13岬堆叠式内存上的实际应用，侧重于解决片数效应。炉管非选择性半球状多晶硅的下电极阻值具有非常严重的片数效应，电容的下极板电阻从炉管底部向上增高，并随着产品片数的增加而增高，导致上部产品良率偏低，一个制程只能生产一批产品。通过对非选择性半球状多晶硅的制程原理及硬件构造进行分析，发现片数效应是由于籽晶沉积阶段的硅烷流量通常非