【摘 要】
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根据ＰＴＣＲ半导体陶瓷在湿热条件下的老化试验结果，对ＰＴＣＲ半导体陶瓷老化前后分别提出了不同的等效电路模型，通过对阻抗－频率关系曲线的测量，求出了ＰＴＣＲ半导瓷的特性参数．计算结果表明，老化后室温
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根据ＰＴＣＲ半导体陶瓷在湿热条件下的老化试验结果，对ＰＴＣＲ半导体陶瓷老化前后分别提出了不同的等效电路模型，通过对阻抗－频率关系曲线的测量，求出了ＰＴＣＲ半导瓷的特性参数．计算结果表明，老化后室温阻值增加，这主要是电极氧化引起的．对实验结果进行了物理本质的初步探讨．
According to the results of aging tests on PTCR semiconducting ceramics in hot and humid conditions, different equivalent circuit models were proposed before and after aging of PTCR semiconducting ceramics. The characteristic parameters of PTCR semiconducting porcelain were obtained by measuring the impedance-frequency curves. The calculation results show that the room temperature resistance increases after aging, which is mainly caused by the electrode oxidation. The experimental results of a preliminary study of the physical nature.
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