厚膜导体的金属迁移研究

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金属迁移能导致混合微电路发生灾难性失效。本文介绍一种简单易行的测试方法──水滴试验法,来测量厚膜电路的实际金属迁移率。用此方法测量时,发现Pd-Ag导体的迁移率最大,Pt-Au导体的金属迁移率最小。并且应用电化学理论分析了Pd-Ag导体的金属迁移过程.最后根据实验及分析,提出了抑制厚膜导体金属迁移的若干措施。 Metal migration can lead to catastrophic failure of hybrid microcircuits. This article describes a simple test method ─ ─ drop test method to measure the actual thickness of the metal film mobility. When measured by this method, it was found that the Pd-Ag conductor has the highest mobility and the Pt-Au conductor has the smallest metal mobility. And the electrochemistry theory is used to analyze the metal migration process of Pd-Ag conductor. Finally, based on the experiment and analysis, some measures to suppress the metal migration of the thick film conductor are proposed.
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