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为了解决传统钟控神经元MOSSPICE模型无法进行连续若干个周期瞬态分析的问题，提出了一种改进的钟控神经元MOSSPICE子电路宏模型，采用HSPICE对器件进行了建模，并对模型进行了验证。验证结果表明，改进的模型既适用于普通神经元MOS，可以进行直流特性扫描分析，也可以进行瞬态特性分析；由于模型具有自动“记忆”预充电阶段输入端电平的功能，因此即使在不同的周期输入端所接固定电平不同，也可以进行连续任意个周期的瞬态特性仿真，从而使改进的模型具有更大的灵活性和实用性。