Growth of High Quality Semi-Insulating InP Single Crystal by Suppression of Compensation Defects

来源 :中国稀土学报：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：haidi99

【摘要】

：

Deep level defects in as-grown and annealed SI-InP samples were investigated by thermally stimulated current spectroscopy. Correlations between electrical prope

【作者】

：

Zhao Youwen Dong Zhiyuan Duan

【机构】

：

InstituteofSemiconductor

【出处】

：

中国稀土学报：英文版

【发表日期】

：

2006年z1期

【关键词】

：

INDIUM PHOSPHIDE DEFECT semi-insualting

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Deep level defects in as-grown and annealed SI-InP samples were investigated by thermally stimulated current spectroscopy. Correlations between electrical property, compensation ratio, thermal stability and deep defect concentration in SI-InP were reveale

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