【摘 要】
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X-FAB半导体加工厂（位于德国的Erfurt）宣布开发成功了一种新的混合信号的SOI（绝缘层上硅,silicon-on-insulator）工艺技术。这种工艺适合于制 造高压,高温器件。这些器件广泛应用
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X-FAB半导体加工厂（位于德国的Erfurt）宣布开发成功了一种新的混合信号的SOI（绝缘层上硅,silicon-on-insulator）工艺技术。这种工艺适合于制 造高压,高温器件。这些器件广泛应用于 汽车与工业方面所需要的电子产品。这 种工艺采用的是介质隔离,双阱结构,特 征尺寸为1.0μm,3层金属,单层多晶布线。 经过鉴定认为该工艺制造的器件, 可以在高达225℃条件下工作。该工艺流 程包括13次光刻工序,并且可以根据需
The X-FAB semiconductor fabrication facility (Erfurt, Germany) announced the successful development of a new mixed-signal SOI (silicon-on-insulator) process technology. This process is suitable for manufacturing high voltage, high temperature devices. These devices are widely used in automotive and industrial electronics needed. This process uses dielectric isolation, double-well structure, the characteristic size of 1.0μm, 3-layer metal, single-layer polycrystalline wiring. After identification of the device manufacturing process that can work up to 225 ℃. The process includes 13 lithography processes and can be done as needed
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