【摘 要】
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首先以高温一锅煮法合成了CuInS2核量子点,再通过连续和长时间的包覆ZnS外壳,制备出了量子产率高达76％的厚壳结构CuInSJZnS/ZnS,将CuInS/ZnS/ZnS量子点作为发光层,利用简单的
【机 构】
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福州大学 平板显示技术国家地方联合工程实验室 福州350116
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首先以高温一锅煮法合成了CuInS2核量子点,再通过连续和长时间的包覆ZnS外壳,制备出了量子产率高达76％的厚壳结构CuInSJZnS/ZnS,将CuInS/ZnS/ZnS量子点作为发光层,利用简单的溶液处理法工艺成功制备出CuInS2基量子点发光二极管(QLEDs).同时对量子点的结构、形貌和光学性能及CuInS2基QLEDs的光电性能进行表征和分析,研究结果表明,通过延长高温反应时间在CuInS2核上包覆ZnS外壳,能够合成具有良好的光致发光性能的CuInS2/ZnS/ZnS量子点,利用溶液法制备的CuInS2基QLEDs开启电压值仅为2.5V,并且其发光亮度能够达到5473 cd/m2.CuInS2/ZnS/ZnS的光致发光和电致发光性能都有了很大的提升.
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