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对氢氧合成和干氧栅氧化后注Ｆ的Ｐ沟ＭＯＳＦＥＥＴ和Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了γ射线辐照试验，比较了两种栅介质注Ｆ的电离辐射响应特性。研究表明，氢氧合成栅氧化后注Ｆ的ＭＯＳＦＥＴ具有较强的抑制辐射感生氧化物电荷和界面态生长的能力。用一个新的模型对实验结果进行了讨论，该新模型中用Ｓｉ－Ｆ结键替代其它在辐射场中易成为电荷陷阱的应力键，并考虑到不同氧化方式导致栅介质本身具有的电子陷阱数、空穴迁移率和氧化时所引