【摘 要】
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本机是坎布里奇公司研制的最新电子束曝光设备,可用来制作掩模原版或在硅片上直接扫描。该机具有如下特性: 对位精度:±0.15μm(2σ); 套刻精度:±0.25μm(±2σ);
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本机是坎布里奇公司研制的最新电子束曝光设备,可用来制作掩模原版或在硅片上直接扫描。该机具有如下特性: 对位精度:±0.15μm(2σ); 套刻精度:±0.25μm(±2σ);
This machine is the latest electron beam exposure equipment developed by Cambridge and can be used to make the mask original or scan directly on the wafer. The machine has the following characteristics: Alignment accuracy: ± 0.15μm (2σ); overlay precision: ± 0.25μm (± 2σ);
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