【摘 要】
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基于3D-IC技术的3DSRAM,由于硅通孔TSV制造工艺尚未成熟,使得TSV容易出现开路故障。而现有的TSV测试方式均需要通过特定的电路来实现,增加了额外的面积开销。通过对2D Memory
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基于3D-IC技术的3DSRAM,由于硅通孔TSV制造工艺尚未成熟,使得TSV容易出现开路故障。而现有的TSV测试方式均需要通过特定的电路来实现,增加了额外的面积开销。通过对2D Memory BIST的研究,针对3DSRAM中的TSV全开路故障进行建模,根据TSV之间的耦合效应进行广泛的模拟研究,分析并验证在读写操作下由于TSV的开路故障对SRAM存储单元里所存值的影响,将TSV开路故障所引起的物理故障映射为SRAM的功能故障。该故障模型可以在不增加额外测试电路的情况下,为有效测试和解决这种TSV开路故
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