【摘 要】
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本文描述了n沟MOS晶体管注入栅区的激光退火技术,测量了激光退火样品和热退火样品的阈值电压漂移和注入剂量的关系。与阈值电压漂移理论值相比表明,激光退火能产生完全的电激
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本文描述了n沟MOS晶体管注入栅区的激光退火技术,测量了激光退火样品和热退火样品的阈值电压漂移和注入剂量的关系。与阈值电压漂移理论值相比表明,激光退火能产生完全的电激活,而不会发生扩散再分布,这与960℃下的热退火大不相同。
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