MOCVD制备GaAs/AlGaAs异质结和异质结双极晶体管(HBT)...

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ceylong2000
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本文应用MOCVD技术制备出高质量的GaAs,AlGaAs外延材料以及GaAs/AlGaAs异质结和多量子阱结构.首次成功地用该技术生长了微波HBT全结构材料,并获得了较高性能的器件结果:300K时直流增益(β)为15~40,77K时为60,截止频率大于10GHz,最高振荡频率为5.5GHz.
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