【摘 要】
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一、霍尔元件的基本原理如图1所示,如果把一片通有电流的n型半导体片子放在磁感应强度为B的磁场中,当电流Ⅰ沿着垂直于磁场的方向通过的时候,那么在垂直于磁场和电流方向的
【机 构】
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沈阳仪器仪表研究所三室霍尔元件组,
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一、霍尔元件的基本原理如图1所示,如果把一片通有电流的n型半导体片子放在磁感应强度为B的磁场中,当电流Ⅰ沿着垂直于磁场的方向通过的时候,那么在垂直于磁场和电流方向的半导体片子的两侧面之间将产生电位差V_H。这个现象是霍尔在1879年首先在金属中发现的,因此称为霍尔效应。
First, the basic principle of the Hall element As shown in Figure 1, if a piece of current through the n-type semiconductor film placed in a magnetic field of magnetic induction B, when the current I along the direction perpendicular to the magnetic field when A potential difference V_H will be generated between the two sides of the semiconductor wafer perpendicular to the magnetic field and current direction. This phenomenon is Hall first discovered in metal in 1879, so called Hall effect.
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