【摘 要】
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用玻恩（Ｂｏｒｎ）散射方法计算了具有两类不同磁相的颗粒膜的巨磁电阻（ＧＭＲ），结果表明，在低温（４．５Ｋ），小磁性颗粒（包含原子数ｎ≤ １２）对巨磁电阻只有很小的贡献，巨磁电阻值随颗粒包含原子数的增多而增加在室温
【机 构】
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天津大学应用物理学系!天津市300072,天津大学,天津大学
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用玻恩（Ｂｏｒｎ）散射方法计算了具有两类不同磁相的颗粒膜的巨磁电阻（ＧＭＲ），结果表明，在低温（４．５Ｋ），小磁性颗粒（包含原子数ｎ≤ １２）对巨磁电阻只有很小的贡献，巨磁电阻值随颗粒包含原子数的增多而增加在室温下，巨磁电阻主要由大磁性颗粒（ｎ １２）产生理论计算较好地解释了实验所观测到的结果．
Giant magnetoresistance (GMR) of two kinds of granular films with different magnetic phases was calculated by the Born scattering method. The results show that at low temperature (4.5K), the small magnetic particles (including the number of atoms n≤12) Giant magnetoresistance has only a small contribution, Giant magnetoresistance increases with the number of atoms contained in the particles. Giant magnetoresistance is mainly explained by experimental calculations due to the theoretical calculations generated by large magnetic particles (n 12) at room temperature the result of.
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