【摘 要】
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基于砷化镓集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD)工艺,研制出了一款性能优良的K波段发夹型带通滤波器芯片,测试结果表明:在19.5~21.3 GHz频带内,该芯片滤波器的插入
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基于砷化镓集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD)工艺,研制出了一款性能优良的K波段发夹型带通滤波器芯片,测试结果表明:在19.5~21.3 GHz频带内,该芯片滤波器的插入损耗<2.6 dB,最小插入损耗为20 GHz处2.2 dB,带内输入输出回波损耗<-25 dB,群时延波动<50 ps,测试结果与仿真设计十分吻合。该滤波器尺寸仅为2.96 mm×1.8 mm×0.1 mm,相比传统工艺的微波滤波器,体积大大缩小,符合当前通信、雷达等微波系统中器件小型化的发展趋势,具有广阔的应用前景。
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