【摘 要】
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介绍了晶体管在脉冲γ辐射源辐照下光电流的产生机理、测量方法，以及二次光电流与晶体管结构、γ剂量率和γ波形宽度的关系。在现有的实验条件下（四种γ脉冲辐射源，宽度分别为：～２ｎｓ，～２０ｎｓ，～６０ｎｓ，～１００ｎｓ，剂
【机 构】
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介绍了晶体管在脉冲γ辐射源辐照下光电流的产生机理、测量方法，以及二次光电流与晶体管结构、γ剂量率和γ波形宽度的关系。在现有的实验条件下（四种γ脉冲辐射源，宽度分别为：～２ｎｓ，～２０ｎｓ，～６０ｎｓ，～１００ｎｓ，剂量率为１０５～１０６Ｇｙ／ｓ），对三种晶体管进行了辐照，对其等效关系进行了分析，得到了二次光电流与总剂量基本成线性关系的结论。
The generation mechanism, measurement method, and the relationship between secondary photocurrent and transistor structure, γ dose rate and γ wave width are introduced. The three kinds of transistors were irradiated under the existing experimental conditions (four kinds of γ pulse radiation sources with widths of ~ 2ns, ~ 20ns, ~ 60ns, ~ 100ns, and dose rates of 105 ~ 106Gy / s) The equivalent relationship was analyzed, and the conclusion that the secondary photocurrent was linear with the total dose was obtained.
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