【摘 要】
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采用三相结构制作了491(V)×384(H)元内线转移 CCD 摄像器件。该器件采用埋沟和四层多晶硅技术,水平分辨率为250TV 线,动态范围达46dB。本文对该器件的工作原理、设计和制作
【机 构】
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重庆光电技术研究所 永川 632163高级工程师
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采用三相结构制作了491(V)×384(H)元内线转移 CCD 摄像器件。该器件采用埋沟和四层多晶硅技术,水平分辨率为250TV 线,动态范围达46dB。本文对该器件的工作原理、设计和制作工艺作了详细的介绍。
A 491 (V) × 384 (H) element internal transfer CCD camera was fabricated by three-phase structure. The device uses buried trench and four-layer polysilicon technology, the horizontal resolution of 250TV lines, the dynamic range of 46dB. This article describes the working principle of the device, design and manufacturing process in detail.
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