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精工爱普生和JSR日前使用液体材料成功地形成了硅薄膜。使用这种硅薄膜的低温多晶硅TFT的电子迁移率高达108cm^2／V·s，实现了和过去利用CVD法形成的TFT相同的性能。主要面向有机EL面板的驱动TFT等用途，力争5—6年内达到实用化水平。
利用喷墨方式形成硅TFT!精工和JSR利用液体材料形成硅薄膜
【摘 要】
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精工爱普生和JSR日前使用液体材料成功地形成了硅薄膜。使用这种硅薄膜的低温多晶硅TFT的电子迁移率高达108cm^2／V·s，实现了和过去利用CVD法形成的TFT相同的性能。主要面
【出 处】
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现代显示
【发表日期】
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2006年5期
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