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采用密度泛函B3LYP/6-311G＋＋（d,p）和高级电子相关耦合簇CCSD（T）/6-311G＋＋（d,p）方法研究了SiH3与NO在单重态势能面上的反应机理,全参数优化了反应势能面上的各驻点的几何构型,用内禀反应坐标（IRC）对过渡态进行了验证.找到以下反应路径R→IM01→TS01→P1（HSiNO＋H2）;R→IM01→TS02→IM02→TS03→IM04→TS06→P2（HSiN＋H2O）,产物P2经过1-2位氢迁移转化为最稳定的产物P3（HNSi＋H2O）;R→IM01→TS11→IM06