【摘 要】
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本文叙述了用高阻P型单晶制作的台面型锗光伏二极管,光谱响应范围在0.9～1.70μm。在1.55μm的峰值波长下,量子效率高达60%。在1.30μm下,灵敏度也能达到0.55μA/μw。在几伏或
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本文叙述了用高阻P型单晶制作的台面型锗光伏二极管,光谱响应范围在0.9～1.70μm。在1.55μm的峰值波长下,量子效率高达60%。在1.30μm下,灵敏度也能达到0.55μA/μw。在几伏或十几伏的反向偏置电压下,用GaInAsP/InP激光器做光源,对响应时间做了测量。φ1mm的器件,前沿最好达1.1ns,后沿达2.5ns。并研究了三种结深对灵敏度的影响,认为结深在0.6～0.7gm为宜。
This article describes the use of high-resistance P-type crystal made of mesa photovoltaic germanium, spectral response in the range of 0.9 ~ 1.70μm. The quantum efficiency is as high as 60% at a peak wavelength of 1.55 μm. At 1.30μm, the sensitivity can reach 0.55μA / μw. The response time was measured using a GaInAsP / InP laser with a reverse bias voltage of a few volts or ten volts. φ1mm device, the best front edge up to 1.1ns, 2.5ns behind. The effects of three kinds of junction depth on the sensitivity are also studied. It is considered that the junction depth is 0.6 ~ 0.7gm.
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