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3．2 InAs／GaAs（001）与Ge／Si量子点实验研究结果的普适性和简单性相比，InAs／GaAs的情况要复杂得多，对生长条件的敏感性也要高许多。G．Constantini等人提出对Ge／Si体系的观察结果也同样适用于InAs／GaAs，但是他们的InAs量子点生长是以在500℃、0．008ML／s的速率进行的。以这种慢速率生长的InAs量子点体系有大小两种形态（据称大量子点形态是热力学平衡形态），这是在实际应用中不希望出现的。