【摘 要】
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目前,利用离化C2H2和共溅WC靶相结合(PACVD+UBMS)制备WC-C膜,以及膜结构、性能与工艺参数间关系的文献报道较少。采有PACVD+UBMS在Ti600钛合金表面制备得到WC-C膜,分析了不同
【机 构】
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集美大学轮机工程学院; 山西宇信和金属材料加工有限公司;
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目前,利用离化C2H2和共溅WC靶相结合(PACVD+UBMS)制备WC-C膜,以及膜结构、性能与工艺参数间关系的文献报道较少。采有PACVD+UBMS在Ti600钛合金表面制备得到WC-C膜,分析了不同磁控电流条件下形成的膜的物相组织、微观结构、膜硬度以及膜基结合力,并进行了磨损试验测试。结果表明:磁控电流为0 A时,磁控溅射膜中并没有形成WC对应的特征衍射峰,磁控电流3～12 A的WC-C膜中生成了WC的衍射峰,但WC-C膜内的WC相不稳定,WC-C膜表现为明显的梯度过渡结构;当磁控电流增大后,WC-C膜的膜基结合力将会随之增加,膜的弹性模量与硬度也随之减小;当磁控电流增大后,试样的磨损率也开始增加,磁控电流6 A所得试样的磨损率最大;磨痕宽度也随磁控电流的增大逐渐增大,并出现了磨屑堆积现象,且发生了小块剥落现象。
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