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用ＭＥＶＶＡ离子源将Ｌａ离子注入到单晶硅中形成掺杂层，用ＸＲＤ，ＳＥＭ分子掺杂层的物相和表面形貌。分析表明，在强流离子注入后，掺杂层中有硅化物形成，且形成相的种类与注量，束流密度及后续热处理条件密切相关，对Ｌａ硅化物的形成过程进行了讨论。
MEVVA源离子束合成镧硅化物
【摘 要】
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用ＭＥＶＶＡ离子源将Ｌａ离子注入到单晶硅中形成掺杂层，用ＸＲＤ，ＳＥＭ分子掺杂层的物相和表面形貌。分析表明，在强流离子注入后，掺杂层中有硅化物形成，且形成相的种类与注量，束流密度及后续热处理条件密切
【机 构】
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北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室
【出 处】
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北京师范大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2000年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目!(5 96 710 5 1)
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