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报道了8 ̄16GHz GaAs单片宽带分布放大器的设计与制作。单级MMIC电路采用三个栅宽为280μm的GaAs MESFET作为有源器件,芯片尺寸为1.1mm×1.6mm。在8 ̄16GHz频率范围,用管壳封装的两级级联放大器增益Ga为11.3±1dB,噪声系数Fn〈6dB,输出功率P(1dB)≥16dBm。