【摘 要】
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详细分析了多种参数对MEMS电容式开关驱动电压的影响,包括材料选取和工艺参数变化,并对驱动电压理论值进行计算.利用表面微机械加工技术在硅衬底上实现了电容式开关,测试结果
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详细分析了多种参数对MEMS电容式开关驱动电压的影响,包括材料选取和工艺参数变化,并对驱动电压理论值进行计算.利用表面微机械加工技术在硅衬底上实现了电容式开关,测试结果表明采用Al0.96Si0.04弹性膜和厚胶牺牲层工艺能获得适中的剩余应力释放,微桥应力约为106 N/m2,这为获得较低的开关驱动电压提供了可能.对长1 mm的MEMS开关,当弹性膜厚为0.5 μm,桥高为3 μm、桥宽为30 μm、桥长为250 μm时获得了25 V的驱动电压,S参数测试表明该电容式开关1～40 GHz频段内的插入损耗低
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