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目前生产SiCw(碳化硅晶须)和SiCP(碳化硅颗粒)的方法主要有气相反应法和固体材料法两大类。气相反应法中应用最为普遍的是气相沉积法(CVD法);固体材料法生产SiCw主要有气(V)-液(L)-固(S)反应法(简称VLS法)和气(V)-固(S)反应法(简称VS法)。固体材料法生产出的碳化硅产品尤其是SiCw,主要用作高强度、高硬度结构材料的增强、增韧。使用SICw与SiCr增韧、增强的材料,可广泛用于航空航天、军事和民用等众多工业领域。本文采用VLS法,在无限微热源炉中成功合成了碳化硅晶须,运用SEM,