【摘 要】
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以溶胶凝胶法制备的TiO2作为空穴缓冲层,在结构为ITO/TiO2/NPB/Alq/LiF/Al的器件中,改善了器件的发光效率。研究了TiO2厚度对器件发光特性的影响。在电流密度为100mA/cm2时,
【机 构】
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以溶胶凝胶法制备的TiO2作为空穴缓冲层,在结构为ITO/TiO2/NPB/Alq/LiF/Al的器件中,改善了器件的发光效率。研究了TiO2厚度对器件发光特性的影响。在电流密度为100mA/cm2时,有缓冲层的器件发光效率为5cd/A,而没有缓冲层的器件发光效率为3.45cd/A,有TiO2缓冲层的器件发光效率有了明显提高。
The TiO2 prepared by sol-gel method is used as the hole buffer layer, and the device has the improved luminescence efficiency in the device with the structure of ITO / TiO2 / NPB / Alq / LiF / Al. The influence of TiO2 thickness on the luminescent properties of the device was investigated. When the current density is 100mA / cm2, the device with buffer layer has a luminous efficiency of 5cd / A, while the device without buffer layer has a luminous efficiency of 3.45cd / A. The luminous efficiency of the device with TiO2 buffer layer has been significantly improved.
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