【摘 要】
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用电子束蒸发的方法制备了传统的双绝缘层的ZnS∶Tm的薄膜电致发光器件. 对其电致发光谱进行分析. 在光致发光中, Tm离子受到基质ZnS的无辐射能量传递, 而在电致发光中, Tm被
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用电子束蒸发的方法制备了传统的双绝缘层的ZnS∶Tm的薄膜电致发光器件. 对其电致发光谱进行分析. 在光致发光中, Tm离子受到基质ZnS的无辐射能量传递, 而在电致发光中, Tm被过热电子碰撞激发而非能量传递. 在所研制的电致发光器件中, 稀土TmF3掺杂浓度不同, 器件的发光性能也不同. 在双绝缘层的ZnS∶Tm的薄膜电致发光器件的基础上, 改变器件的结构, 发现器件的蓝光发射与红外光发射之比增加, 并对Tm离子可能的发光机理进行了探讨.
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