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针对基于外延层转移技术的InP HBT与Si COMS异质集成工艺中的器件互连问题,本文系统性地开展了ICP干法刻蚀BCB(苯并环丁烯)工艺研究。重点研究了射频功率、腔室压强和刻蚀气体SF_(6)/O_(2)体积比等条件对刻蚀速率、刻蚀通孔洁净度和通孔侧壁形貌的影响。在此基础上通过相关刻蚀工艺的合理优化,实现了孔深5μm、深宽比1∶1、侧壁光滑、高垂直度的BCB通孔制备,相关研究为后续InP HBT等化合物半导体器件与Si CMOS器件间高密度的集成和高可靠的互连提供坚实的技术支撑。