【摘 要】
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本文采用液相沉淀法以SnCl2·H2O代替SbCl3制备了ZnO（含有5％的Bi，Mn，Co，Sn）变阻器．通过SEM和XRD技术确定了我们制备的ZnO基变阻器的晶相及其分布情况，结果表明微观结构包括ZnO主
【基金项目】
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哈师大博士启动基金;黑龙江省教育厅科学技术研究项目(10551096)
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本文采用液相沉淀法以SnCl2·H2O代替SbCl3制备了ZnO（含有5％的Bi，Mn，Co，Sn）变阻器．通过SEM和XRD技术确定了我们制备的ZnO基变阻器的晶相及其分布情况，结果表明微观结构包括ZnO主相，Zn2SnO4尖晶石相和富Bi2O3相，分析了SnO2对变阻器电性能的影响．当SnO2含量增加时，漏电流明显增大；而非线性系数只对低浓度的SnO2有明显的依赖关系．且存在一个使非线性系数达到极值的临界浓度（1．0mol％）．SnO2的含量对压敏电压没有明显的影响．添加适当含量的Bi2O3
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