【摘 要】
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以溶胶-凝胶法在S(i100)基底上制备了Ca1-3x/2BixCu3Ti4O12(CBCTO)薄膜。XRD结果表明,于900℃退火1h可形成多晶CaCu3Ti4O12(CCTO)相。SEM显示Bi离子掺杂使CCTO晶粒异常生长。
【机 构】
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新乡职业技术学院,江苏大学材料科学与工程学院
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以溶胶-凝胶法在S(i100)基底上制备了Ca1-3x/2BixCu3Ti4O12(CBCTO)薄膜。XRD结果表明,于900℃退火1h可形成多晶CaCu3Ti4O12(CCTO)相。SEM显示Bi离子掺杂使CCTO晶粒异常生长。通过压敏电阻测试仪分析了CBCTO薄膜的压敏电阻特性,所有样品均呈现明显的非线性特性,用双肖特基势垒模型进行了充分说明。Ca0.925Bi0.05Cu3Ti4O12(x=0.050)薄膜具有最小的电位梯度与最小的漏电流,可良好应用在低压压敏电阻开关等领域。
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