【摘 要】
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在双极电路生产中,总希望在正片上较为准确地测定外延层的电阻率.一般说来,三探针测试适用于N/N~+、P/P~+型结构的外延层的电阻率的测试;四探针适用于N/P型结构的外延层的电
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在双极电路生产中,总希望在正片上较为准确地测定外延层的电阻率.一般说来,三探针测试适用于N/N~+、P/P~+型结构的外延层的电阻率的测试;四探针适用于N/P型结构的外延层的电阻率测试.双极电路所使用的外延片,在外延之前已作有局部埋层,这就不能完好地满足三、四探针的测试条件,如果用三、四探针测试这类外延片的电阻率,总会产生不同程度的误差.
In the production of bipolar circuits, it is always desired to determine the resistivity of the epitaxial layer more accurately on the positive plate. Generally speaking, the three-probe test is suitable for the resistance of the epitaxial layer of N / N ~ + and P / P ~ + type structures Rate test; four probe for N / P-type epitaxial layer resistivity test. Bipolar circuit used in epitaxial wafers, epitaxial has been made before the partial buried layer, which can not fully meet the three, four Probe test conditions, if three or four probes to test the resistivity of such epitaxial wafers, there will always be different degrees of error.
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