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作者报导了一种新的低温制备工艺,采用这种工艺可以制备出高迁移率的多晶硅薄膜晶体管,它的主要特点是使用了溅射硅膜,而后是激光辐照和溅射沉积SiO<sub>2</sub>膜.多晶硅薄膜晶体管的迁移率达350cm<sup>2</sup>/V·s。这种薄膜晶体管可以有效地用于大面积液晶显示器的周边电
用于大面积LCD的高迁移率多晶硅TFT的低温制备
【摘 要】
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作者报导了一种新的低温制备工艺,采用这种工艺可以制备出高迁移率的多晶硅薄膜晶体管,它的主要特点是使用了溅射硅膜,而后是激光辐照和溅射沉积SiO<sub>2</sub>膜.多晶硅薄
【出 处】
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发光快报
【发表日期】
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1989年6期
其他文献
在直流薄膜一粉末混合型电致发光器件中观察到的软化现象是有源层(ZnS∶Mn薄膜)中的局部漏电通道引起的。这种漏电通道是从负极边缘逐渐产生的。它起源于ZnS薄膜的微缺陷。
ZnS:Tb薄膜电致发光的光转换效率高达21m/W。然而,由于超量掺杂作用导致了快速衰减。通常,老化过程中效率的降低未发现有相应的光谱改变或载流子加速/激发中心的对应改变。因
<正> 前言随着信息社会的发展,平板显示器成为人机对话的关键器件,其重要性日益增加。在各种平板显示器中,TFEL显示器有许多独特的优点。然而,由于这种器件仅能显示一种颜色,