论文部分内容阅读
研究了纳米Al2O3第2相掺杂对Ce0.8Y0.2O2-δ。固体电解质晶界离子电导率的影响。结果发现，掺杂少量纳米Al2O3可降低固体电解质的晶界电导活化能，中低温下的晶界离子电导率显著上升。分析表明，掺杂第2相在晶界处的偏聚改善了晶界的离子导电通道结构，是导致晶界离子电导率上升的主要原因。
纳米Al2O3掺杂对Ce0.8Y0．2O2-δ晶界离子电导的影响
【摘 要】
：
研究了纳米Al2O3第2相掺杂对Ce0.8Y0.2O2-δ。固体电解质晶界离子电导率的影响。结果发现，掺杂少量纳米Al2O3可降低固体电解质的晶界电导活化能，中低温下的晶界离子电导率显著
【机 构】
：
贵州大学理学院
【出 处】
：
应用化学
【发表日期】
：
2006年9期
其他文献