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作者采用HCl和HBr作为刻蚀气体，在Tegal1611设备上刻蚀Poly－Si，研究了工艺条件，如压力、功率等对工艺结果的影响，得到了相当好的工艺结果，并成功地应用于125mm晶片MOS电路的大生产中。
高均匀性高选择性的多晶硅刻蚀工艺
【摘 要】
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作者采用HCl和HBr作为刻蚀气体，在Tegal1611设备上刻蚀Poly－Si，研究了工艺条件，如压力、功率等对工艺结果的影响，得到了相当好的工艺结果，并成功地应用于125mm晶片MOS电路的大生产
【机 构】
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中国华晶电子集团公司MOS事业部
【出 处】
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微电子技术
【发表日期】
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1994年02期
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