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综述了影响边界层陶瓷电容器的主要因素，包括显微结构、掺杂改性、包露技术及烧成工艺等。展望了边界层瓷电容器在21世纪的研究应用前景。
影响边界层陶瓷电容器性能的主要因素
【摘 要】
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综述了影响边界层陶瓷电容器的主要因素，包括显微结构、掺杂改性、包露技术及烧成工艺等。展望了边界层瓷电容器在21世纪的研究应用前景。
【机 构】
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郑州大学材料工程学院450002
【出 处】
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河南建材
【发表日期】
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2003年2期
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