二维MoS2以及Pentacene/MoS2异质结的光学和电学性质

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【摘要】

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以硫粉末和MoO3粉末作为原料,通过化学气相沉积法制备出MoS2薄膜,用光学显微镜、原子力显微镜、喇曼光谱以及X射线衍射谱对所制备的MoS2薄膜进行表征。结果表明:制备得到的二

【作者】

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白志英邓金祥潘志伟张浩孔乐王贵生邓金祥

【机构】

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北京工业大学应用数理学院

【出处】

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光子学报

【发表日期】

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2018年12期

【关键词】

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二维材料异质结化学气相沉积法喇曼增强光电性质 Two dimensional materialHeterojunctionChemical vapor

【基金项目】

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国家自然科学基金(Nos.60876006,60376007)和北京市教育委员会科技计划重点项目(No.KZ201410005008)资助

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以硫粉末和MoO3粉末作为原料,通过化学气相沉积法制备出MoS2薄膜,用光学显微镜、原子力显微镜、喇曼光谱以及X射线衍射谱对所制备的MoS2薄膜进行表征。结果表明:制备得到的二维MoS2,其晶体形貌为三角形,尺寸约为60μm,薄膜厚度约为0.7nm;二维MoS2可以作为理想的表面增强喇曼散射衬底,促进与有机小分子的电子转移,因此两者的喇曼光谱强度均增强。在MoS2薄膜上沉积有机小分子pentacene制备出具有良好整流特性的有机-无机pentacene/MoS2异质结,通过分析ln(I/V2)-1/V曲线

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