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全新1200VSiCMOSFET经过优化，兼具可靠性与性能优势。它们在动态损耗方面树立了新标杆，相比1200V硅（Si）IGBT低了一个数量级。
1200V碳化硅MOSFET
【摘 要】
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全新1200VSiCMOSFET经过优化，兼具可靠性与性能优势。它们在动态损耗方面树立了新标杆，相比1200V硅（Si）IGBT低了一个数量级。
【出 处】
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今日电子
【发表日期】
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2016年7期
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