【摘 要】
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采用蒙特卡罗的方法模拟了铜掺杂碳膜的淀积过程。首先建立空间网格结构,通过在网格结构上随机降落原子来模拟薄膜的淀积过程。薄膜的电学特性通过解泊松方程来计算。仿真结
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采用蒙特卡罗的方法模拟了铜掺杂碳膜的淀积过程。首先建立空间网格结构,通过在网格结构上随机降落原子来模拟薄膜的淀积过程。薄膜的电学特性通过解泊松方程来计算。仿真结果表明,薄膜表面的粗糙程度随着碳含量的上升而下降;含碳量为20%~25%的薄膜电阻很低而含碳量在60%~75%的薄膜电阻则很高。仿真结果与现有实验结果高度吻合,保证了仿真的正确性。
The deposition process of copper-doped carbon film was simulated by Monte-Carlo method. First of all, a space grid structure is established, and the deposition process of the thin film is simulated by randomly dropping atoms on the grid structure. The electrical properties of the film are calculated by solving the Poisson’s equation. The simulation results show that the roughness of the film surface decreases with the increase of carbon content; the sheet resistance of 20% -25% carbon content is very low while the sheet resistance of 60% -75% carbon content is very high. Simulation results are in good agreement with the existing experimental results to ensure the correctness of the simulation.
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