超薄氮氧化硅(SiOxNy)栅NMOSFET中GIDL效应的研究

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MOSFET栅介质层厚度的减薄使栅致漏极的泄漏电流指数增强,本文报道N2O中退火SiO2(两步法)生成超薄(5.5nm)氮氧化硅(SiOxNy)栅NMOSFET中的GIDL效应,包括器件尺寸,偏置电压和热载流子效应的影响,发现GIDL在一定的偏置下成为主要的泄漏机制,且陷阱电荷和界面态对其具有显著的调制作用,二维器件模拟结果指出,与SiO2栅NMOSFET相比,LDD掺杂结构使SiOxNy栅NMO
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