【摘 要】
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在国产首台CBE设备上,生长了GaAs上的GaAs,InP上的InP,InP上的InGaAs以及GaAs上的InGaAs多量子阱四种材料。纯GaAs为p型,载流子浓度为5.5×10~(15)cm~(-3),μ_(300K)=280cm~2
【机 构】
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中国科学院半导体研究所中国科学院半导体材料科学开放实验室 北京 100083
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在国产首台CBE设备上,生长了GaAs上的GaAs,InP上的InP,InP上的InGaAs以及GaAs上的InGaAs多量子阱四种材料。纯GaAs为p型,载流子浓度为5.5×10~(15)cm~(-3),μ_(300K)=280cm~2/V·s,μ_(77K)=5000cm~2/v·s,基本没有表面椭圆缺陷,InGaAs/GaAs多量子阱的x光双晶衍射有10个卫星峰,光吸收谱有明显子带吸收。
On the first domestic CBE device, GaAs on GaAs, InP on InP, InGaAs on InP and InGaAs MQW on GaAs were grown. Pure GaAs is p-type, carrier concentration is 5.5 × 10 ~ (15) cm -3, μ 300K is 280cm 2 / V · s, 77 77K is 5000cm 2 / v s , Almost no surface elliptical defects, InGaAs / GaAs multiple quantum wells x-ray double-crystal diffraction of 10 satellite peaks, the optical absorption spectrum obvious subband absorption.
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