【摘 要】
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描述了一种应用于TD-LTE的38.4 MHz数控晶体振荡器(DCXO)。该电路采用一种具有快慢两种工作模式的电容阵列。这种电容阵列在不同的调节模式下应用不同容值的电容单元,可以将
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描述了一种应用于TD-LTE的38.4 MHz数控晶体振荡器(DCXO)。该电路采用一种具有快慢两种工作模式的电容阵列。这种电容阵列在不同的调节模式下应用不同容值的电容单元,可以将频率更快地调节到正确的位置,并且芯片面积更小。设计的数控晶体振荡器采用TSMC 0.13μm BiCMOS工艺实现。
Describes a 38.4 MHz NC Crystal Oscillator (DCXO) for TD-LTE. The circuit uses a capacitor array with both fast and slow modes of operation. This capacitor array in different regulation mode using different capacitance value of the capacitor unit, the frequency can be adjusted to the correct location faster, and the chip area smaller. Design of the NC crystal oscillator using TSMC 0.13μm BiCMOS process.
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