论文部分内容阅读
研究了掺杂不同V2O5对ZnO陶瓷压敏特性的影响。实验表明，ZnO压敏电压随V元素掺杂量增加而随之升高，非线性系数随元素v掺杂量增加而先增大后减小，漏电流先减小后增大。分析认为，V元素掺杂对ZnO压敏材料电性能的影响不仅与电子的能级有关，与其自旋特性也紧密相关。ZnO陶瓷中掺杂的V元素在晶界偏析，其V元素都会产生局域磁矩，会对与其取向不同的自旋电子产生强的散射，这样可增大ZnO压敏陶瓷电阻率，使晶界产生非线性特性。