【摘 要】
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采用液态的叔丁基砷(tertiarybularsine,TBAs)和叔丁基磷(tertiarybulphosp hine,TBP )为源材料,用有机金属气相外延(metalorganic vapor phase epitaxy,MOVPE)生长了与InP衬
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采用液态的叔丁基砷(tertiarybularsine,TBAs)和叔丁基磷(tertiarybulphosp hine,TBP )为源材料,用有机金属气相外延(metalorganic vapor phase epitaxy,MOVPE)生长了与InP衬底晶格匹配的InGaAs/InP超晶格. 高精度X射线衍射的结果表明,在InG aAs与InP单异质结界面处,存在一个压应变的界面层. 可利用相同的界面模型来模拟InGaAs/InP 超晶格的X射线衍射实验结果. 该结果表明,TBAs吹扫InP表面对界面应变产生很大的影响.为此提出了一种新的界面气体转换顺序来控制InGaAs/InP超晶格的界面应变,它先把Ⅲ族源转入反应室,以此来降低TBAs对InP表面的影响,由此得到的超晶格的平均应变减小,光致发光的峰值能量出现蓝移.
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