【摘 要】
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众所周知,GaAsMESFET的跨导压缩现象与栅金属、制作工艺和栅长有关。认为这种现象是由栅和漏之间裸露表面下的耗尽区引起的。基于此假设,提出了一种可以圆满地解释0.25μm栅
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众所周知,GaAsMESFET的跨导压缩现象与栅金属、制作工艺和栅长有关。认为这种现象是由栅和漏之间裸露表面下的耗尽区引起的。基于此假设,提出了一种可以圆满地解释0.25μm栅长器件实验结果的新模型。
As we all know, GaAsMESFET transconductance compression phenomenon and the gate metal, the production process and gate length. It is considered that this phenomenon is caused by the depletion region under the exposed surface between the gate and the drain. Based on this assumption, a new model that satisfactorily explains the experimental results of a 0.25μm gate length device is proposed.
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