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利用射频反应磁控溅射在(100)Si衬底上沉积了AlN薄膜。通过AFM,XPS,C-V及抗电测试研究了薄膜的表面形貌、成分、介电常数及抗电强度,并研究了快速热退火(RTA)对薄膜性能的影响。通过不断地改进实验参数制备出的薄膜抗电强度为13—15 MV/cm,薄膜的相对介电常数为4.22,XPS测试与分析表明薄膜中不含Al单质,且Al2p的75.1 eV的峰值表明薄膜表面已被部分氧化;薄膜的退火分析表明1 000℃左右的退火温度有利于提高薄膜的抗电性能。